近日，三星发布了一款名为“flashbolt”的hbm2e存储芯片，预计将在今年上半年开始量产。
据悉，hbm2e单颗最大容量为16gb，由8颗16gb的dram颗粒堆迭而成，单个封装可实现16gb容量，最高可提供3．2gbps的稳定数据传输速度。
全新的hbm2e记忆体“flashbolt”采用三星1ynm制程工艺，单颗最大容量为16gb，由16gb的单die通过8层堆迭而成。三星官方介绍说，全新的“flashbolt”在频宽上面有比较明显的提升，在默认的3．2gbps下，单颗hbm2e就可以提供高达410gb／s的频宽，1秒内便可传输82部 full hd （5gb）全高清画质的影片。
至于三星内部测试自家全新的“flashbolt”存储芯片，在“超频”后可以达到最高4．2gbps的传输速率，频宽更高达538gb／s，比上代产品高出75％。
按照三星官方的说法，全新的hbm2e存储芯片将会在今年上半年开始量产，特别适用于hpc高性能运算系统，并可帮助系统制造商及时改进其超级电脑、ai驱动的数据分析以及最新的图形系统。
